半導体製造装置（前工程用）は、デザインルール微細化とウェーハ大口径化（300ｍｍφ以上）への対応が求められています。それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。
窒化アルミニウム（AlN）は、熱伝導性･熱放射性（放熱）、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、Siウェーハにマッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。

古河電子の焼成技術により、550mmφと世界最大クラスの窒化アルミセラミックス部品も製造可能です。ウエハーの大口径化にも対応して参ります。
また、素材でのご提供も致しております。窒化アルミセラミックスのことであれば何なりとご相談ください。

特長

• 熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
• 熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。
• Siにマッチした低熱膨張。
• フッ素系ガス耐食性に優れる。

用途

• 半導体製造装置用（CVD、エッチングなど）サセプター各種、静電チャック、ヒーター均熱板、真空チャック、ヒーター
• ダミーウエハー
• ターゲット
• 化合物半導体製造装置用部品

特性（代表値）