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半導体装置用部品

半導体装置用部品

半導体製造装置(前工程用)は、デザインルール微細化(0.18μm以下)とウェーハ大口径化(Φ300mm以上)への対応が求められています。それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。 窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性・熱放射性(放熱)、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、Siウェーハに マッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。


半導体製造装置用AlN部品

特徴

  • 熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
  • 熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。
  • Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。
  • フッ素系ガスの耐食性が大きい。
  • 耐プラズマ性に優れている。

仕様

【外形寸法(最大)】 Φ/550(mm)
【板厚寸法】0.25〜30(mm)

特性

特性 Grade
FAN-090 FAN-170 FAN-200 FAN-230
熱伝導率 W/m・K(RT) 90 170 200 230
熱放射率 (100℃) 0.93
熱膨張係数 10-6/℃(RT〜400℃) 4.5
絶縁抵抗 Ω・ cm(RT) >1013
絶縁耐圧 kV/mm(RT) 15
誘電率 (1MHz) 8.8
誘電体損失 10-4(1MHz) 5
曲げ強度 MPa 350
密度 g/cm3 3.2 3.3
Y(イットリウム) wt% 0.0 3.4
O (酸素) 0.6 1.7
特徴 高純度 汎用 高熱伝導 高熱伝導
(新規開発)

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